P5000平台(tái)是(shì)AMAT多(duō)腔體(tǐ)設備平台(tái)，可(kě)以(yǐ)安(ān)裝(zhuāng)4个(gè)腔體(tǐ)，刻(kè)蝕腔體(tǐ)有(yǒu)MarkⅡ、MxP、MxP+、Super-E等，可(kě)用(yòng)于(yú)氧化(huà)矽、氮化(huà)矽、多(duō)晶矽、矽及(jí)金(jīn)屬材料的(de)刻(kè)蝕。CVD腔體(tǐ)可(kě)用(yòng)于(yú)氧化(huà)矽、氮化(huà)矽、金(jīn)屬鎢等材料的(de)化(huà)學(xué)气(qì)相沉積。P5000平台(tái)設備占地(dì)面(miàn)積小、空(kōng)間(jiān)利用(yòng)率高(gāo)，适用(yòng)于(yú)規模化(huà)生(shēng)産。同(tóng)时(shí)，設備配備強(qiáng)大(dà)的(de)射頻系(xì)統及(jí)气(qì)路(lù)系(xì)統，可(kě)實(shí)現(xiàn)多(duō)種(zhǒng)工藝的(de)兼容开發(fà)。P5000系(xì)列設備可(kě)選配静(jìng)電(diàn)吸附，可(kě)根(gēn)據(jù)不(bù)同(tóng)的(de)工藝要(yào)求選擇适用(yòng)的(de)配置；設備市(shì)场(chǎng)保有(yǒu)量(liàng)大(dà)，備件(jiàn)渠道(dào)完善。